2024年7月1日 星期一

HBM排擠下,南亞科、華邦電受惠

MoneyDJ新聞 記者:周佩宇 報導 2024-07-01

AI趨勢為記憶體用量增長最為顯著的驅動力,且AI伺服器對高頻寬記憶體(HBM)需求急增,輔以龍頭晶圓廠聚焦生產HBM及DDR5產品,相對將使明(2025)年傳統DRAM產能遭排擠近40萬片/月,推升DDR3、DDR4合約價續漲,而DRAM市佔排名居三大原廠之後的南亞科(2408)、華邦電(2344),則有望提升產品定價能力,成為最大受惠者。

美光於上週法說會提出,2025年NAND Flash及DRAM的先進產品供應仍將吃緊,並預期HBM產能提升將會限制傳統DRAM產品生產,將以現有存貨支撐後市銷售,進行最佳化成本效益,市場推測其計畫將傳統DRAM產能升級為HBM,以達成2025年HBM市佔率達25%的目標。

三星及SK-海力士也都積極擴充HBM產能,但在初期良率較低的情況下,可預見2025~2026年整體產能增加幅度仍有限,而為了爭取到HBM高毛利產品訂單,勢必投入相應資本,反之也無力增加傳統記憶體的產能;當DDR4等傳統DRAM需求回升,訂單自然會由台廠接手。

不過,值得注意的是,中國業者長鑫存儲亦積極擴大產能,2024年第一季已在北京開設新產線,預計第四季月產能將達到20萬片的規模,較年初成長 40% 以上,並規劃2025年底增加到30萬片,不過法人預估,受三大原廠HBM擴產排擠,傳統DRAM減少之月產能近40萬片,單一業者的擴產並無法彌補。

南亞科及華邦電在DRAM的市占率分別為1.6%、0.8%,排名在第四、第五名;在定價能力進一步提升下,預期2024年後市營收將逐季成長,同時獲利表現上也可望加速迎來復甦。

以南亞科而言,其主要業務以利基型DRAM為主,產品組合中DDR3佔42.5%、DDR4佔42.5%、LPDDR佔15%;產品應用以消費性佔70%、手機(LPDDR)佔15%、伺服器與其他佔15%。

展望其後市營運,雖然第二季受403大地震影響,晶圓損失及停產導致第二季獲利表現上還是有些壓力,不過法人認為,南亞科6月在業外收入、利息、轉投資收入挹注下,單月損益可望轉盈,而本業上,第三季將有較大機會產生盈餘。

製程上,南亞科2024年將主攻第二代10奈米級製程技術(1B),其中8Gb DDR4以及16Gb DDR5產品已導入生產,年底也將試產1C製程,公司強調每前進一代,約可使單片產能效率提升30%,有助成本結構改善。

而華邦電營收占比上,DRAM占19%,其餘占比分別為邏輯IC 47%、NOR Flash 27%、NAND Flash 6%。

除了受惠於主要產品之一的DDR3可望延續漲勢至年底外,華邦電亦開發AI邊緣端應用之高頻寬CUBE記憶體,可望在2024年底小量出貨;亦有以Hybrid bond封裝整合系統單晶片與自家生產的客製化AI DRAM,欲搶佔先進封裝商機;在上述動能齊發下,可望助力下半年轉虧為盈。